1効率と電力密度の二重改善
装置の電圧レベルは1700V以上にアップグレードされています
光伏インバーターの直流バス電圧が1100Vから1500Vに増加すると,シリコンカービッド装置の電圧抵抗が同時にアップグレードされます.On Mei のような製造者は,より高い電源伝送効率と線路損失を減らすために,1500V 高電圧プラットフォームとマッチできる1700V SiC MOSFET 製品を導入しました..
Basic Semiconductorの第2世代のシリコンカービッドMOSFETは,100キロワットインバーターのニーズを満たすために特異的なオン抵抗 (Rspから2.8-3.3mΩ) を最適化することで,スイッチ損失を30%削減する.
パワーモジュール統合と高周波
双面冷却モジュール (IPM パッケージなど) と統合駆動回路を使用すると,寄生誘導力は5nH未満に低下し,100kHz以上の高周波操作をサポートします.システム容量は40%減少します.
マイクロインバーターのコンパクトシリコンカービッド装置は 熱消耗効率を向上させ 伝統的なソリューションと比較して 30%のTOLLパッケージサイズを削減しました50W/cm3 の電力の密度を達成した

2. コスト削減が市場浸透率の急速な増加を推進する
スケール効果が表示されます.
シリコンカービッド装置の価格は引き続き下がり,2017年のSiC SBDの単位価格は4.1元/Aから1.4元/Aに下がり,MOSFETの平均年収は30%-40%に達し,費用は1ドル近くになると予想されています2026年にはシリコンベースの装置の0.5倍になります
中国のシリコンカービッド基板コスト目標は,2023年の3,000元/個から2026年の2,000元/個に削減され,全産業連鎖のコスト削減を促進した.
ハイブリッド溶液は,適用限界を減らす
テスラが提案した"シリコン+シリコンカービッド"並列システムは,IGBTをベースにしたシリコンカービッド装置の一部を追加し,コストは50%~60%のみ増加します.しかし,システムの効率は著しく向上し,短回路抵抗は強化されます.試験的に太陽光発電の貯蔵分野に適用されています.

3. 地域化プロセスを加速するために調整された産業連鎖
グローバル生産能力拡大と国内代替
国際的な巨人Wolfspeed,Infineonおよび他の企業は,6インチシリコンカービッド・ウェーバーの生産能力を年間460万個 (2026年) に増加させる計画を立てています.SANのような中国の製造者は,光電が基板の大量生産を達成しました2020年には15%から2025年には40%に
パッケージ技術革新
シルバーシントリングやAMB (アクティブメタルブレージング) などの先進的なパッケージングプロセスが普及しています熱抵抗を30%削減し,シリコンベースの製品の50倍まで装置の寿命を延長する.

4応用シナリオは産業連鎖全体に広がる
主要装置:光伏インバーターが市場を支配する
シリコンカービッドの普及率はブーストおよびDC/ACインバーターセグメントでは35%に達し,2025年までに50%を超えると予想される.シリコンカービードを使用する光伏インバーターの変換効率は99%を超えます電気のコストは ライフサイクル全体で 12% 削減されます
材料と設備の革新を支援する
シリコンカービッドボートブレーキットは,クォーツキャリヤーを置き換え,温度抵抗は1600°C以上まで増加し,使用寿命は1年以上延長されます.そして太陽光電池の生産における停電時間と保守コストが削減されます.
シリコンカービッドの精密部品のマイクロ加工を目的とした陶器の彫刻とフレーシングマシン, 生産コストは50%削減され,フレームやその他の構造部品 軽量.

5課題と対処戦略
技術的なボトルネック
高周波スイッチによる電磁気干渉 (EMI) は抑制され,駆動回路は100kV/μsの dv/dt 変化速度に対応する必要があります.パーソナライズされたドライバーチップの開発が 焦点になっています.
信頼性の検証システム
厳しい屋外環境 (高温,高湿度,塩噴霧) で 10 年間の加速耐候試験基準を確立し,装置の故障率は 0.1%/1000 時間未満である必要があります.

結論
フォトウエアにおけるシリコンカービッド技術は"性能突破 - 費用探査 - シーンの拡大"の3段階の移行を遂げています. 2028年までに,世界光伏のシリコンカービッド市場は8.900億米ドルと,中国企業の技術革新,モジュールパッケージングやその他のリンクは,世界の産業パターンの再構築を促進します将来の技術再現は,欠陥制御,システム統合最適化,標準化システム構築に焦点を当てなければならない.